Поиск аналогов электронных компонентов
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDТайвань, Китай

AS2003M

Спросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
N管-ID最大漏极电流3A
N管-Vdss漏源电压20V
N管-Vgsth门槛电压1V
Характеристики по постоянному и переменному току
N管-Rds最大导通阻抗75mΩ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1SOT23
Другое
N管-Qg栅极电荷NnC
Pd-功率耗散0.8mW
P管-Qg栅极电荷NnC
引脚数量16

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.