Поиск аналогов электронных компонентов
Infineon TechnologiesГермания

BFP520FE6327

ПроизводитсяTransistors - Bipolar (BJT) - RF

LOW-NOISE SI TRANSISTOR

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
Current - Collector (Ic) (Max)40mA
Power - Max100mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)3.5V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition45GHz
Gain22.5dB
Noise Figure (dB Typ @ f)0.95dB @ 1.8GHz
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C(TJ)
PackageBulk
Package / Case4-SMD, Flat Leads
Supplier Device Package4-TSFP
Другое
MfrInfineon Technologies
Product StatusActive
Series-
Transistor TypeNPN

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.