VBsemi(微碧半导体)Китай
BSO150N03MD G-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single特性：Trench Power MOSFET。 100% Rg Tested。 100% UIS Tested。 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC。应用：Notebook System Power。 Low Current DC/DC
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока8.5 A
Сопротивление в открытом состоянии20 mΩМакс. · 4.5V，10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V；16mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |