VBsemi(微碧半导体)Китай
BSZ033NE2LS5-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；DFN8(3X3)；N—Channel沟道；20V；100A；RDS(ON)=2(mΩ)@VGS=10V；VGS=±12V；Vth=0.6V；采用Trench技术；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока100 A
Сопротивление в открытом состоянии2.5 mΩМакс. · 2.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 100A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@2.5V |
| 耗散功率(Pd) | 250W |