VBsemi(微碧半导体)Китай
CMP80N03-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleTO220；N—Channel沟道,30V；120A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока120 A
Сопротивление в открытом состоянии4 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 250W |