VBsemi(微碧半导体)Китай
CSD17576Q5B-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；128A；RDS(ON)=1.2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；是一款单体N型场效应管，采用Trench技术，适用于高功率和高电流的应用场景。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока128 A
Сопротивление в открытом состоянии1.5 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 128A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 175W |