Поиск аналогов электронных компонентов

台积电流片,长电科技封装;是一款单体N型MOSFET,采用Trench工艺,具有优异的性能和稳定性。适用于电源管理模块、工业控制模块、电机驱动模块等领域。TO220;N—Channel沟道,40V;110A;RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.2~2.5V;

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток40 V
Постоянный ток стока110 A
Питание
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)110A
Другое
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)2.9nF@20V

Документы