Поиск аналогов электронных компонентов

高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Число драйверов2
Конфигурация нагрузкиHalf-bridge
Пиковый выходной ток600 mAМакс.
Питание
灌电流(IOL)600mA
驱动通道数2
Другое
负载类型MOSFET;IGBT
驱动配置半桥

Документы