EPCСША
GANFET N-CH 200V 3A DIE
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток200 V
Постоянный ток стока3 A
Сопротивление в открытом состоянии100 mΩМакс. · 3A
Пороговое напряжение2.5 VМакс. · 1mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C~125°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel® |
| Package / Case | Die |
| Supplier Device Package | Die |
| Другое | |
| Base Product Number | EPC20 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 145 pF @ 100 V |
| Mfr | EPC |
| Product Status | Discontinued at Digi-Key |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3A, 5V |
| Series | eGaN® |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +6V, -5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.