Поиск аналогов электронных компонентов
FDB6670AS
onsemiСША

FDB6670AS

Снят с производстваTransistors - FETs, MOSFETs - SingleD²PAK

MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока62 A
Сопротивление в открытом состоянии8.5 mΩМакс. · 31A
Пороговое напряжение3 VМакс. · 1mA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C62A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)62.5W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageD²PAK (TO-263)
Другое
Base Product NumberFDB667
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1570 pF @ 15 V
Mfronsemi
Product StatusObsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 31A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

Изображения

Документы