VBsemi(微碧半导体)Китай
FDMS8622-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET，采用Trench技术，适用于多种高性能功率电子应用。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；30A；RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=3~5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Сопротивление в открытом состоянии18 mΩМакс. · 10V
Пороговое напряжение4 VМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |