Поиск аналогов электронных компонентов

FDN340P

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - Single

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока2 A
Сопротивление в открытом состоянии70 mΩМакс. · 2A
Пороговое напряжение1.5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Power Dissipation (Max)500mW (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageBulk
Package / CaseDie
Supplier Device PackageDie
Другое
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds779 pF @ 10 V
MfrFairchild Semiconductor
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 2A, 4.5V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Документы