Поиск аналогов электронных компонентов

FDN352AP

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleSOT-23-3

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока1.3 A
Сопротивление в открытом состоянии180 mΩМакс. · 1.3A
Пороговое напряжение2.5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.3A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)500mW (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageBulk
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23-3
Другое
Base Product NumberFDN352
FET Feature-
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds150 pF @ 15 V
MfrFairchild Semiconductor
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 1.3A, 10V
SeriesPowerTrench®
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.