onsemiСША
DIODE SIL CARB 650V 10.1A TO220
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 35, из них китайских: 14. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение650 V
Средний выпрямленный ток10.1 A
Прямое падение напряжения1.7 VМакс. · 8 A
ТипSchottky
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 10.1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40 µA @ 650 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C~175°C |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Supplier Device Package | TO-220-2 |
| Другое | |
| Base Product Number | FFSP0865 |
| Capacitance @ Vr, F | 336pF @ 1V, 100kHz |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mfr | onsemi |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Series | - |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |