Поиск аналогов электронных компонентов
FZT851D

FZT851D

ПроизводитсяSingle Bipolar Transistors

60V,6A,General Purpose NPN Bipolar Transistor

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
基极电流 IB (mA)300
电流放大倍数 hFE max600
电流放大倍数 hFE min300
集电极-发射极击穿电压 VCEO (V)60
集电极电流 IC (A)6
Характеристики по постоянному и переменному току
特征频率 fT min (MHz)130(Typ.)
Условия эксплуатации и корпус
REACH 合规YES
RoHS 合规YES
封装 PackageTO-252
Другое
AEC-Q 车规认证NO
出口管制编码 ECCNEAR99
无卤 Halide-freeYES
无铅 Pb-freeYES
最低结温 Tj min (℃)-55
最大耗散功率 PD (mW)2.5
最高结温 Tj max (℃)150
极性 PolarityNPN
生命周期 Marketing StatusActive
饱和压降 VCE(sat) (V)0.375

Изображения

Документы