GaNPowerСША
GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток650 V
Постоянный ток стока5 A
Пороговое напряжение1.4 VМакс. · 1.75mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | Die |
| Supplier Device Package | Die |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.6 nC @ 6 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 45 pF @ 400 V |
| Mfr | GaNPower |
| Product Status | Active |
| Series | - |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +7.5V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 1.75mA |