SUPSiC(国晶微半导体)Китай
国晶微半导体 GSCT3060AL — SiC 碳化硅功率模块
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| 阻断电压 | 650 V |
| 额定电流 | 39A |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| 阻抗Ron | 60mΩ |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| 封装 | TO-247-3 |
| Другое | |
| 型号 | GSCT3060AL |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.