Поиск аналогов электронных компонентов
HTPC8408LQ

这款场效应管(MOSFET)属于N+P沟道类型,其最大导通电流(ID/A)为7.2A,能够承受的最大漏源电压(VDSS/V)为40V。在导通状态下的电压降非常低,表现为导通电阻(RDSON/mΩ)仅为23毫欧姆,在确保高效能的同时降低了功耗。此MOSFET的栅极与源极之间的电压(VGS/V)可以达到±20V,提供了良好的控制性能。适用于需要高效率和快速开关的应用中,如消费类电子产品中的电源管理、便携式设备的电源转换及保护电路等。(TPC8408,LQ(S)

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Напряжение сток-исток40 V
Постоянный ток стока7.2 A
Сопротивление в открытом состоянии44 mΩМакс. · 10V
Питание
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)7.2A
Другое
导通电阻(RDS(on))44mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.67W

Изображения

Документы