Поиск аналогов электронных компонентов
HXY2300AI

该消费级N沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装,针对20V电压系统设计,提供高达6A的连续电流处理能力。具有卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及各类高效率电子应用中,实现高效能、稳定的功率转换与控制。

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока6 A
Сопротивление в открытом состоянии73 mΩМакс. · 1.8V
Питание
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6A
Другое
导通电阻(RDS(on))73mΩ@1.8V
数量1个N沟道

Изображения

Документы