VBsemi(微碧半导体)Китай
IPW65R080CFD-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleTO247；N—Channel沟道,650V；34A；RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток650 V
Постоянный ток стока34 A
Сопротивление в открытом состоянии80 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 34A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道 |