VBsemi(微碧半导体)Китай
IRF2807ZPBF-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块，如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。TO220；N—Channel沟道,80V；100A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток80 V
Постоянный ток стока100 A
Сопротивление в открытом состоянии9 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 连续漏极电流(Id) | 100A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个N沟道 |