Поиск аналогов электронных компонентов

台积电流片,长电科技封装;是一款高性能单N沟道MOSFET,采用Trench技术。适合在需要高效能和高可靠性的场合使用。TO220;N—Channel沟道,80V;160A;RDS(ON)=4.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=2~4V;

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток80 V
Постоянный ток стока160 A
Питание
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)160A
Другое
数量1个N沟道
输入电容(Ciss)6.71nF@40V

Документы