VBsemi(微碧半导体)Китай
IRL3803VPBF-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单体N沟道场效应管，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、汽车电子模块、工业自动化控制模块等领域。TO220；N—Channel沟道,30V；140A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока140 A
Сопротивление в открытом состоянии2 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 140A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V,38.8A |
| 数量 | 1个N沟道 |