ISC0702NLSATMA1

MOSFET N-CH 60V 23A/135A TDSON-8

Все аналоги

Тип каналаN-channel

Напряжение сток-исток60 V

Постоянный ток стока23 ~ 135 A

Сопротивление в открытом состоянии2.8 mΩМакс. · 50A

Пороговое напряжение2.3 VМакс. · 38μA

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23A (Ta), 135A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)	3W (Ta), 100W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55°C~175°C(TJ)
Package	Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case	8-PowerTDFN
Supplier Device Package	PG-TDSON-8
Другое
Base Product Number	ISC0702N
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3500 pF @ 30 V
Mfr	Infineon Technologies
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.8mOhm @ 50A, 10V
Series	OptiMOS™ 5
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 38µA

К этому компоненту пока не привязаны документы.