Поиск аналогов электронных компонентов
ISC0805NLSATMA1
Infineon TechnologiesГермания

ISC0805NLSATMA1

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока13 ~ 71 A
Сопротивление в открытом состоянии7.8 mΩМакс. · 50A
Пороговое напряжение2.3 VМакс. · 40μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 71A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta), 74W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case8-PowerTDFN
Supplier Device PackagePG-TDSON-8-46
Другое
Base Product NumberISC0805N
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2200 pF @ 50 V
MfrInfineon Technologies
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.8mOhm @ 50A, 10V
SeriesOptiMOS™ 5
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.3V @ 40µA

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.