Поиск аналогов электронных компонентов
ISC104N12LM6
Infineon TechnologiesГермания

ISC104N12LM6

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETs

ISC104N12LM6 is a N-channel power MOSFETs with VDS max: 120 V, RDS (on) max: 10.4 mOhm, Package: SuperSO8 5x6, Technology: OptiMOS™ 6, ID max: 63 A

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Пороговое напряжение1.7 VМакс.
Питание
Battery voltage48-72 V
Условия эксплуатации и корпус
Operating Temperature range-55 °C to 175 °C
PackageSuperSO8 5x6
Другое
ID (@25°C) max63 A
IDpuls max252 A
PolarityN
Ptot max94 W
QG (typ @10V)19.6 nC
QG (typ @4.5V)10.4 nC
RDS (on) (@10V) max10.4 mΩ
RDS (on) (@4.5V) max14.1 mΩ
Special FeaturesLogic Level
VDS max120 V
VGS(th)1.7 V
VGS(th) range1.2 V to 2.2 V

Изображения

Документы