IXYSСША
DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток1.5 kV
Постоянный ток стока2 A
Сопротивление в открытом состоянии9.2 ΩМакс. · 500mA
Пороговое напряжение5 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247 (IXTH) |
| Другое | |
| Base Product Number | IXTH2 |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 830 pF @ 25 V |
| Mfr | IXYS |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.2Ohm @ 500mA, 10V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.