Поиск аналогов электронных компонентов
IXTP60N20T

IXTP60N20T

Single FETs, MOSFETsTO-220-3

MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток200 V
Постоянный ток стока60 A
Сопротивление в открытом состоянии40 mΩМакс. · 30A
Пороговое напряжение5 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)500W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220-3
Другое
Base Product NumberIXTP60
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4530 pF @ 25 V
MfrLittelfuse Inc.
PackagingTube
Part StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 30A, 10V
SeriesTrench
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Изображения

Документы