VBsemi(微碧半导体)Китай
IXTY32P05T-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；TO252；P—Channel沟道；-60V；-50A；RDS(ON)=20(mΩ)；VGS=±20V；Vth=-1.7V；采用Trench技术；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока50 A
Сопротивление в открытом состоянии25 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 50A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |