VBsemi(微碧半导体)Китай
JCS10N65FT-R-F-N-B-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，具有高性能和可靠性。适用于太阳能逆变器、UPS系统等的功率开关、电动汽车的驱动模块等领域。TO220F；N—Channel沟道,650V；10A；RDS(ON)=820mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток650 V
Постоянный ток стока10 A
Сопротивление в открытом состоянии820 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 连续漏极电流(Id) | 10A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 820mΩ@10V,4A |
| 数量 | 1个N沟道 |