Поиск аналогов электронных компонентов

台积电流片,长电科技封装;是一款单N型MOSFET,采用Trench工艺,适用于便携式电子设备、DC-DC转换器、LED驱动器等领域。SOT223;N—Channel沟道,60V;7A;RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока7 A
Сопротивление в открытом состоянии32 mΩМакс. · 10V
Питание
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)7A
Другое
导通电阻(RDS(on))32mΩ@10V
数量1个N沟道

Документы