Lewa Micro(乐瓦微电子)Китай
LWD3003AD3
Transistors - FETs, MOSFETs - Single硅N+P沟道功率MOSFET，采用沟槽技术，低栅极电荷和导通电阻，快速开关，适用于多种应用
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN + P
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока16 ~ 23 A
Сопротивление в открытом состоянии24 mΩМакс. · 10V，10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 23A；16A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V；11mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.