Lewa Micro(乐瓦微电子)Китай
LWD3003AS
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN+P沟道功率MOSFET，采用沟槽技术，具备低栅极电荷、低导通电阻和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、便携式设备和电源管理等应用
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN + P
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока6.5 ~ 8.5 A
Сопротивление в открытом состоянии10 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A；6.5A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.