IC DRAM 2GBIT PARALLEL DIE
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипDRAM
Объём памяти2 Gbit
ИнтерфейсParallel
Напряжение питания1.283 ~ 1.45 V
| Питание | |
|---|---|
| Voltage - Supply | 1.283V ~ 1.45V |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Memory Size | 2Gbit |
| Mounting Type | - |
| Operating Temperature | 0°C~95°C(TC) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | - |
| Supplier Device Package | - |
| Другое | |
| Base Product Number | MT41K256M8 |
| Memory Format | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Organization | 256M x 8 |
| Memory Type | Volatile |
| Mfr | Micron Technology Inc. |
| Product Status | Obsolete |
| Series | - |
| Technology | SDRAM - DDR3L |
| Write Cycle Time - Word, Page | - |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.