Reactor-Micro(亚成微)Китай
高压平面MOSFET
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| Voltage Level | 650V |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Package | TO-252 |
| Другое | |
| BVDSS (V) Min. | 650 |
| BVDSS (V) Typ. | 670 |
| ID(A) Max. | 7 |
| RDS(ON)(Ω) (VGS=10V) Max. | 1.4 |
| RDS(ON)(Ω) (VGS=10V) Typ. | 1.1 |
| V(th)(V) Max. | 4 |
| V(th)(V) Min. | 2 |
| V(th)(V) Typ. | 3 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.