Rohm SemiconductorЯпония
MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток12 V
Постоянный ток стока1.3 A
Сопротивление в открытом состоянии260 mΩМакс. · 1.3A
Пороговое напряжение1 VМакс. · 1mA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel® |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Leads |
| Supplier Device Package | TUMT3 |
| Другое | |
| Base Product Number | RZF013 |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290 pF @ 6 V |
| Mfr | Rohm Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 1.3A, 4.5V |
| Series | - |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.