HL(富海微)Китай
MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.6～-2.4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):5.5，连续漏极电流ID(A):-110A
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока110 A
Сопротивление в открытом состоянии7 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 110A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V |
| 数量 | 1个P沟道 |