HL(富海微)Китай
S400N06HTL
Transistors - FETs, MOSFETs - Single平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):60 阈值电压VGS:±20 Vth(V):2～4导通电阻RDS(ON) (mΩ):1.25 连续漏极电流ID(A):400A
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока400 A
Сопротивление в открытом состоянии1.55 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 400A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.55mΩ@10V |
| 耗散功率(Pd) | 454.5W |