AF(晶岳)Китай
IGBT semiconductor device
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| Package | TO-263-3L |
| Другое | |
| IC (A) | 15 |
| Part No. | SSC65TR15GT6 |
| Technology | IGBT+FRD |
| VCE(sat) (V) | 1.6 |
| VCES(V) | 650 |
| VGES (±V) | ±20 |
| VGE(th) Max. (V) | 5.9 |
| VGE(th)Min. (V) | 5.4 |