AF(晶岳)Китай
BJT semiconductor device
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Коэффициент усиления hFE110
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| Package | SOT-363 |
| Другое | |
| Conf. | PNP |
| HFE | 110 |
| IC(A) | -0.1 |
| Part No. | SSCP856GSG |
| VCBO (V) | -80 |
| VCEO (V) | -65 |
| VCESAT(mV) | -100 |
| VEBO(V) | -5 |