VBsemi(微碧半导体)Китай
SSF2627-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleSOP8；P—Channel沟道,-20V；-8A；RDS(ON)=16mΩ@VGS=4.5V,VGS=15V；Vth=-0.6~-2V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток20 V
Постоянный ток стока13 A
Сопротивление в открытом состоянии40 mΩМакс. · 1.8V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 13A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@1.8V |
| 数量 | 1个P沟道 |