Поиск аналогов электронных компонентов
STB36NM60N
STMicroelectronicsШвейцария

STB36NM60N

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleD²PAK

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток600 V
Постоянный ток стока29 A
Сопротивление в открытом состоянии105 mΩМакс. · 14.5A
Пороговое напряжение4 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C29A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)210W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageD²PAK (TO-263)
Другое
Base Product NumberSTB36
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs83.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2722 pF @ 100 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 14.5A, 10V
SeriesAutomotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.