Поиск аналогов электронных компонентов
STL52N60DM6
STMicroelectronicsШвейцария

STL52N60DM6

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - Single

N-CHANNEL 600 V, 0.084 OHM TYP.,

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток600 V
Постоянный ток стока45 A
Сопротивление в открытом состоянии84 mΩМакс. · 22.5A
Пороговое напряжение4.75 VМакс. · 250μA
Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C45A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Power Dissipation (Max)174W (Tc)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case8-PowerVDFN
Supplier Device PackagePowerFlat™ (8x8) HV
Другое
FET Feature-
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2468 pF @ 100 V
MfrSTMicroelectronics
Product StatusActive
Rds On (Max) @ Id, Vgs84mOhm @ 22.5A, 10V
SeriesMDmesh™ DM6
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

Изображения

Документы