VBsemi(微碧半导体)Китай
SW028P04-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleSOP8；P—Channel沟道,-40V；-8A；RDS(ON)=17.6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток40 V
Постоянный ток стока8 A
Сопротивление в открытом состоянии20.8 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 8A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20.8mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |