VBsemi(微碧半导体)Китай
UT3409G-AE3-R-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleSOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока5.6 A
Сопротивление в открытом состоянии54 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@4.5V |
| 数量 | 1个P沟道 |