VBsemi(微碧半导体)Китай
UT4101G-AE3-R-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleSOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Технические параметры этого компонента пока не указаны.
SOT23；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=60mΩ@VGS=4.5V,VGS=±12V；Vth=-0.5~-1.5V；
Технические параметры этого компонента пока не указаны.