VBsemi(微碧半导体)Китай
UTT25P06L-TN3-R-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - SingleTO252；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока35 A
Сопротивление в открытом состоянии58 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 35A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@4.5V |
| 耗散功率(Pd) | 2.3W |