VBsemi(微碧半导体)Китай
UTT25P10L-TN3-R-VB
Transistors - FETs, MOSFETs - Single台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型MOSFET，适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中，为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。TO252；P—Channel沟道,-100V；-16A；RDS(ON)=100mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока16 A
Сопротивление в открытом состоянии120 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 16A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V,15A |
| 数量 | 1个P沟道 |