VBsemi(微碧半导体)Китай
TO220F；N—Channel沟道,30V；180A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока28.8 A
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 28.8A |
| Другое | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W |