VBsemi(微碧半导体)Китай
TO220F;N—Channel沟道,40V;200A;RDS(ON)=1.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;是一款采用Trench技术高性能单N沟道MOSFET,适用于高效电源开关、工业自动化等领域和模块。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Технические параметры этого компонента пока не указаны.
TO220F;N—Channel沟道,40V;200A;RDS(ON)=1.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~2.5V;是一款采用Trench技术高性能单N沟道MOSFET,适用于高效电源开关、工业自动化等领域和模块。
Технические параметры этого компонента пока не указаны.